
RGTH40TK65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 23A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 56 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 465.22 грн |
30+ | 255.98 грн |
120+ | 213.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH40TK65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 23A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 40 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 23 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 56 W.
Інші пропозиції RGTH40TK65DGC11
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
RGTH40TK65DGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |