RGTH40TK65GC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGTH40TK65GC11 - IGBT, 23 A, 1.6 V, 56 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 134.20 грн |
| 10+ | 133.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH40TK65GC11 ROHM
Description: ROHM - RGTH40TK65GC11 - IGBT, 23 A, 1.6 V, 56 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-3PFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGTH40TK65GC11 за ціною від 101.47 грн до 455.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH40TK65GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO-3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 40 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 56 W |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGTH40TK65GC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications. |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|