RGTH40TK65GC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 56 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 234.02 грн |
| 30+ | 121.95 грн |
| 120+ | 99.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH40TK65GC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH40TK65GC11 - IGBT, 23 A, 1.6 V, 56 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-3PFM, Dauerkollektorstrom: 23A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGTH40TK65GC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH40TK65GC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 20A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGTH40TK65GC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH40TK65GC11 - IGBT, 23 A, 1.6 V, 56 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-3PFM Dauerkollektorstrom: 23A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTH40TK65GC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 20A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 20A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGTH40TK65GC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH40TK65GC11 - IGBT, 23 A, 1.6 V, 56 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 23A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTH40TK65GC11 - IGBT, 23 A, 1.6 V, 56 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 23A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)