Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH40TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 20A, Power dissipation: 72W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 80A, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-off time: 141ns, Turn-on time: 47ns.
Інші пропозиції RGTH40TS65DGC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH40TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 144000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGTH40TS65DGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 144000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 144000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)