на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 306.11 грн |
| 10+ | 197.39 грн |
| 100+ | 151.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH40TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 20A, Power dissipation: 72W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 80A, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 47ns, Turn-off time: 141ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції RGTH40TS65DGC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RGTH40TS65DGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 72W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 141ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
RGTH40TS65DGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N |
товару немає в наявності |
|
| RGTH40TS65DGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 72W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 141ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |