Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTH40TS65DGC13
RGTH40TS65DGC13

RGTH40TS65DGC13 Rohm Semiconductor

rgth40ts65dgc13-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 144mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+198.48 грн
78+182.74 грн
100+177.90 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 72 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTH40TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGTH40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RGTH40TS65DGC13 за ціною від 148.55 грн до 473.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTH40TS65DGC13 RGTH40TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.57 грн
10+281.87 грн
100+203.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13 RGTH40TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTH40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 568 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+473.53 грн
10+312.86 грн
100+196.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13 RGTH40TS65DGC13 ROHM rgth40ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGTH40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTH40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 22ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+239.08 грн
30+182.39 грн
50+174.96 грн
100+169.18 грн
300+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13 datasheet?p=RGTH40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH40TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+436.57 грн
10+281.87 грн
100+203.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13 datasheet?p=RGTH40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH40TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 568 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.53 грн
10+312.86 грн
100+196.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13 rgth40ts65dgc13-e.pdf
RGTH40TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13 datasheet?p=RGTH40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 22ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+239.08 грн
30+182.39 грн
50+174.96 грн
100+169.18 грн
300+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.