
RGTH40TS65GC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 249.18 грн |
30+ | 130.43 грн |
120+ | 106.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH40TS65GC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 40 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 144 W.
Інші пропозиції RGTH40TS65GC11 за ціною від 85.82 грн до 263.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RGTH40TS65GC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
RGTH40TS65GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 72W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 141ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
RGTH40TS65GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 72W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 141ns |
товару немає в наявності |