RGTH40TS65GC11

RGTH40TS65GC11 Rohm Semiconductor


rgth40ts65-e Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.18 грн
30+130.43 грн
120+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTH40TS65GC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 40 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 144 W.

Інші пропозиції RGTH40TS65GC11 за ціною від 85.82 грн до 263.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGTH40TS65GC11 RGTH40TS65GC11 Виробник : ROHM Semiconductor rgth40ts65-e IGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.48 грн
10+141.11 грн
100+100.12 грн
450+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65GC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rgth40ts65-e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 72W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 141ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65GC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rgth40ts65-e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 72W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 141ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.