RGTH50TK65GC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 26A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 59 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.87 грн |
| 30+ | 127.60 грн |
| 120+ | 103.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TK65GC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 26A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 26 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 59 W.
Інші пропозиції RGTH50TK65GC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TK65GC11 | ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications. |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGTH50TK65GC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TK65GC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 59 Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 26 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTH50TK65GC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGTH50TK65GC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH50TK65GC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 26
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - RGTH50TK65GC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 26
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)