Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTH50TK65GC11
RGTH50TK65GC11

RGTH50TK65GC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGTH50TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 26A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 59 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.43 грн
30+128.42 грн
120+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTH50TK65GC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 26A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 26 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 59 W.

Інші пропозиції RGTH50TK65GC11 за ціною від 195.21 грн до 457.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTH50TK65GC11 RGTH50TK65GC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTH50TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 448 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+457.21 грн
10+405.61 грн
30+333.48 грн
120+288.37 грн
510+245.49 грн
1020+202.60 грн
2520+195.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TK65GC11 RGTH50TK65GC11 ROHM 2818177.pdf Description: ROHM - RGTH50TK65GC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 26
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TK65GC11 datasheet?p=RGTH50TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH50TK65GC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 448 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+457.21 грн
10+405.61 грн
30+333.48 грн
120+288.37 грн
510+245.49 грн
1020+202.60 грн
2520+195.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TK65GC11 2818177.pdf
RGTH50TK65GC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH50TK65GC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 26
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.