RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 292.06 грн |
| 10+ | 252.43 грн |
| 100+ | 206.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6, Verlustleistung Pd: 174, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, DC-Kollektorstrom: 50, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (08-Jul-2021).
Інші пропозиції RGTH50TS65DGC11 за ціною від 134.63 грн до 304.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65DGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGTH50TS65DGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 Verlustleistung Pd: 174 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| RGTH50TS65DGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |