RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 284.39 грн |
| 10+ | 245.80 грн |
| 100+ | 201.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6, Verlustleistung Pd: 174, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, DC-Kollektorstrom: 50, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (08-Jul-2021).
Інші пропозиції RGTH50TS65DGC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
 IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTH50TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)