RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 287.66 грн |
| 10+ | 248.63 грн |
| 100+ | 203.65 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3, Mounting: THT, Power dissipation: 87W, Gate charge: 49nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 100A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 65ns, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Turn-off time: 172ns, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 25A, Collector-emitter voltage: 650V.
Інші пропозиції RGTH50TS65DGC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
 IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTH50TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)