RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 357.06 грн |
| 30+ | 191.86 грн |
| 120+ | 158.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 87W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 650V, Gate charge: 49nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 100A, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 172ns, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 25A.
Інші пропозиції RGTH50TS65DGC11 за ціною від 144.46 грн до 364.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
 IGBTs 650V 25A IGBT Stop Trench |
на замовлення 197 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| RGTH50TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 25A IGBT Stop Trench
IGBTs 650V 25A IGBT Stop Trench
на замовлення 197 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 364.72 грн |
| 10+ | 201.05 грн |
| 100+ | 144.46 грн |