RGTH50TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 174 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 456.62 грн |
| 10+ | 295.39 грн |
| 100+ | 213.64 грн |
| 600+ | 164.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, Verlustleistung: 174W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції RGTH50TS65DGC13 за ціною від 193.12 грн до 494.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 575 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||
 |
RGTH50TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V Verlustleistung: 174W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| RGTH50TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 49nC Turn-on time: 27ns Technology: Field Stop; Trench |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| RGTH50TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 575 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 494.86 грн |
| 10+ | 328.00 грн |
| 100+ | 206.23 грн |
| RGTH50TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGTH50TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 249.74 грн |
| 30+ | 193.12 грн |