Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTH50TS65DGC13
RGTH50TS65DGC13

RGTH50TS65DGC13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGTH50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.76 грн
10+203.12 грн
100+169.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTH50TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGTH50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, Verlustleistung: 174W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції RGTH50TS65DGC13 за ціною від 184.32 грн до 419.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTH50TS65DGC13 RGTH50TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTH50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.78 грн
10+292.15 грн
100+184.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13 RGTH50TS65DGC13 ROHM rgth50ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGTH50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.61 грн
10+299.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13 datasheet?p=RGTH50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH50TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+414.78 грн
10+292.15 грн
100+184.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13 rgth50ts65dgc13-e.pdf
RGTH50TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+419.61 грн
10+299.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.