RGTH50TS65GC11

RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor


ROHM_S_A0002906009_1-2561831.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
на замовлення 335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.23 грн
10+170.90 грн
450+140.52 грн
5400+139.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, DC-Kollektorstrom: 50, Anzahl der Pins: 3, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Verlustleistung Pd: 174, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: Lead (08-Jul-2021).

Інші пропозиції RGTH50TS65GC11 за ціною від 198.00 грн до 279.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGTH50TS65GC11 RGTH50TS65GC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgth50ts65-e Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.33 грн
10+241.70 грн
100+198.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65GC11 RGTH50TS65GC11 Виробник : ROHM ROHM-S-A0002906009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
DC-Kollektorstrom: 50
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 174
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.