RGTH50TS65GC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 199.56 грн |
| 80+ | 177.93 грн |
| 100+ | 170.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TS65GC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, DC-Kollektorstrom: 50, Anzahl der Pins: 3, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Verlustleistung Pd: 174, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: Lead (08-Jul-2021).
Інші пропозиції RGTH50TS65GC11 за ціною від 192.80 грн до 271.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65GC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RGTH50TS65GC11 | ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTH50TS65GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.99 грн |
| 10+ | 235.35 грн |
| 100+ | 192.80 грн |
| RGTH50TS65GC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)