RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.20 грн |
| 10+ | 169.89 грн |
| 450+ | 139.68 грн |
| 5400+ | 138.95 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, DC-Kollektorstrom: 50, Anzahl der Pins: 3, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Verlustleistung Pd: 174, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: Lead (08-Jul-2021).
Інші пропозиції RGTH50TS65GC11 за ціною від 171.85 грн до 270.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65GC11 | Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 174000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RGTH50TS65GC11 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RGTH50TS65GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 174000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 174000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 200.90 грн |
| 80+ | 179.11 грн |
| 100+ | 171.85 грн |
| RGTH50TS65GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 270.73 грн |
| 10+ | 234.26 грн |
| 100+ | 191.91 грн |