RGTH50TS65GC13 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGTH50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 374.07 грн |
| 10+ | 285.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TS65GC13 ROHM
Description: ROHM - RGTH50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGTH50TS65GC13 за ціною від 163.33 грн до 463.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65GC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 174 W |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGTH50TS65GC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|