RGTH60TK65DGC11 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorIGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.74 грн |
| 25+ | 240.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH60TK65DGC11 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 28 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 61 W.
Інші пропозиції RGTH60TK65DGC11 за ціною від 121.15 грн до 281.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH60TK65DGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 61 W |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|