RGTH60TK65DGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM
Power - Max: 61 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Part Status: Active
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 275.09 грн |
| 30+ | 144.74 грн |
| 120+ | 118.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH60TK65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM, Power - Max: 61 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 28 A, Part Status: Active, Gate Charge: 58 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PFM, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції RGTH60TK65DGC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH60TK65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGTH60TK65DGC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH60TK65DGC11 - IGBT, 28 A, 1.6 V, 61 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 61 Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 28 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTH60TK65DGC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGTH60TK65DGC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH60TK65DGC11 - IGBT, 28 A, 1.6 V, 61 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 61
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - RGTH60TK65DGC11 - IGBT, 28 A, 1.6 V, 61 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 61
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)