RGTH60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 302.16 грн |
| 51+ | 290.65 грн |
| 100+ | 280.79 грн |
| 250+ | 262.55 грн |
| 500+ | 236.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
49 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 58A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 58 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 194 W.
Інші пропозиції RGTH60TS65DGC13 за ціною від 168.87 грн до 544.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH60TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 58A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Current - Collector (Ic) (Max): 58 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 194 W |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGTH60TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 30A TRNCH |
на замовлення 965 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RGTH60TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| RGTH60TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 58A; 194W Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 58A Power dissipation: 194W Mounting: THT Gate charge: 58nC Turn-on time: 27ns Technology: Field Stop; Trench |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| RGTH60TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 483.63 грн |
| 30+ | 266.47 грн |
| 120+ | 222.58 грн |
| 510+ | 178.71 грн |
| RGTH60TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 965 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 528.93 грн |
| 10+ | 299.02 грн |
| 100+ | 217.05 грн |
| 600+ | 196.31 грн |
| RGTH60TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 544.68 грн |
| 52+ | 284.37 грн |
| 100+ | 254.83 грн |
| RGTH60TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 58A; 194W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 58A
Power dissipation: 194W
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 58A; 194W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 58A
Power dissipation: 194W
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 264.68 грн |
| 30+ | 206.49 грн |
| 50+ | 198.13 грн |
| 100+ | 192.27 грн |
| 300+ | 168.87 грн |