RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 195.41 грн |
| 76+ | 187.96 грн |
| 100+ | 181.58 грн |
| 250+ | 169.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N, Power - Max: 197 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 58 A, Part Status: Not For New Designs, Gate Charge: 58 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції RGTH60TS65GC11 за ціною від 169.78 грн до 195.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGTH60TS65GC11 | Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RGTH60TS65GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 195.41 грн |
| 76+ | 187.96 грн |
| 100+ | 181.58 грн |
| 250+ | 169.78 грн |