RGTH60TS65GC11

RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor


rgth60ts65-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+174.94 грн
73+168.28 грн
100+162.57 грн
250+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 58 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 197 W.

Інші пропозиції RGTH60TS65GC11 за ціною від 120.65 грн до 388.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGTH60TS65GC11 RGTH60TS65GC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgth60ts65-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+174.94 грн
73+168.28 грн
100+162.57 грн
250+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC11 RGTH60TS65GC11 Виробник : ROHM Semiconductor rgth60ts65-e IGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.81 грн
10+380.72 грн
25+217.03 грн
100+156.70 грн
250+142.72 грн
450+122.86 грн
900+120.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65GC11 RGTH60TS65GC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgth60ts65-e Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 197 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.