Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTH80TS65DG-C11

RGTH80TS65DG-C11 Rohm Semiconductor

Name: RGTH80TS65DG-C11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 32089375-5
Price: 12201 UAH
Availability: InStock

Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk

на замовлення 824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
84+	145.25 грн
90+	136.32 грн
200+	134.70 грн

Мінімальне замовлення: 84

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RGTH80TS65DG-C11 Rohm Semiconductor

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 40A, Power dissipation: 117W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 160A, Mounting: THT, Gate charge: 79nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 84ns, Turn-off time: 194ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції RGTH80TS65DG-C11

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
RGTH80TS65DGC11	Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 117W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Turn-off time: 194ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
RGTH80TS65DGC11	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
RGTH80TS65DGC11	Виробник : ROHM Semiconductor	IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
RGTH80TS65DGC11	Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 117W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Turn-off time: 194ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.