RGTH80TS65DG-C11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 169.91 грн |
| 90+ | 159.47 грн |
| 200+ | 157.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
84 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH80TS65DG-C11 Rohm Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 40A, Power dissipation: 117W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 160A, Mounting: THT, Gate charge: 79nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 84ns, Turn-off time: 194ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.
Інші пропозиції RGTH80TS65DG-C11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH80TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
RGTH80TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGTH80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 117W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Turn-off time: 194ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTH80TS65DGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RGTH80TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RGTH80TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.