RGTH80TS65DG-C11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 174.04 грн |
| 90+ | 163.35 грн |
| 200+ | 161.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
84 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH80TS65DG-C11 Rohm Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 117W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 650V, Gate charge: 79nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 160A, Turn-on time: 84ns, Turn-off time: 194ns, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 40A.
Інші пропозиції RGTH80TS65DG-C11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH80TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
RGTH80TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGTH80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 117W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 79nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 84ns Turn-off time: 194ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTH80TS65DGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RGTH80TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RGTH80TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 79nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 79nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.