RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 352.02 грн |
| 44+ | 336.89 грн |
| 50+ | 324.06 грн |
| 100+ | 301.88 грн |
| 250+ | 271.05 грн |
| 500+ | 253.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
42 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGTH80TS65DGC13 за ціною від 183.91 грн до 577.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247GPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 236 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 79 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 234 W |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGTH80TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 588 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RGTH80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RGTH80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RGTH80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RGTH80TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 70A Power dissipation: 234W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 79nC Turn-on time: 34ns Turn-off time: 0.12µs Technology: Field Stop; Trench |
на замовлення 620 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 512.54 грн |
| 10+ | 333.38 грн |
| 100+ | 242.69 грн |
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 588 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 554.86 грн |
| 10+ | 369.73 грн |
| 100+ | 234.09 грн |
| 600+ | 214.09 грн |
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 577.95 грн |
| 10+ | 420.80 грн |
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 577.95 грн |
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 281.79 грн |
| 30+ | 221.53 грн |
| 50+ | 213.17 грн |
| 100+ | 207.32 грн |
| 200+ | 183.91 грн |