RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 324.30 грн |
| 46+ | 310.36 грн |
| 50+ | 298.54 грн |
| 100+ | 278.11 грн |
| 250+ | 249.70 грн |
| 500+ | 233.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGTH80TS65DGC13 за ціною від 233.76 грн до 613.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247GPower - Max: 234 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Gate Charge: 79 nC Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247G Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 236 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
RGTH80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RGTH80TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RGTH80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 493.62 грн |
| 10+ | 321.24 грн |
| 100+ | 233.76 грн |
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 613.83 грн |
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)