RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 280.43 грн |
| 46+ | 268.38 грн |
| 50+ | 258.16 грн |
| 100+ | 240.50 грн |
| 250+ | 215.92 грн |
| 500+ | 201.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGTH80TS65DGC13 за ціною від 215.82 грн до 567.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH80TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247GPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 236 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 79 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 234 W |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RGTH80TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGTH80TS65DGC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RGTH80TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
RGTH80TS65DGC13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |