RGTH80TS65DGC13 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+488.07 грн
10+325.50 грн
100+205.72 грн
600+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTH80TS65DGC13 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G, Power - Max: 234 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Gate Charge: 79 nC, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247G, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Reverse Recovery Time (trr): 236 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RGTH80TS65DGC13 за ціною від 234.28 грн до 494.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTH80TS65DGC13 RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.72 грн
10+321.96 грн
100+234.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+494.72 грн
10+321.96 грн
100+234.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.