RGTV00TS65DGC11

RGTV00TS65DGC11 ROHM Semiconductor


rgtv00ts65d-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+496.26 грн
10+ 418.53 грн
25+ 330.26 грн
100+ 303.17 грн
250+ 256.94 грн
900+ 229.86 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTV00TS65DGC11 ROHM Semiconductor

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 62ns, Turn-off time: 247ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 138W, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 104nC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції RGTV00TS65DGC11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGTV00TS65DGC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rgtv00ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 247ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 104nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGTV00TS65DGC11 RGTV00TS65DGC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgtv00ts65d-e.pdf Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 95A TO247N
товар відсутній
RGTV00TS65DGC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rgtv00ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 247ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 104nC
товар відсутній