RGTV00TS65DGC13 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV00TS65DGC13 - IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 276W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 95A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTV00TS65DGC13 ROHM
Description: ROHM - RGTV00TS65DGC13 - IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 276W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 95A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RGTV00TS65DGC13 за ціною від 281.44 грн до 478.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTV00TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RGTV00TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Description: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 50 Power - Max: 276 W Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 95 A Gate Charge: 104 nC Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247GE Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RGTV00TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGTV00TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 50
Power - Max: 276 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Gate Charge: 104 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247GE
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 50
Power - Max: 276 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Gate Charge: 104 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247GE
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 478.12 грн |
| 10+ | 415.94 грн |
| 25+ | 396.62 грн |
| 120+ | 323.20 грн |
| 360+ | 308.67 грн |
| 600+ | 281.44 грн |