RGTV60TK65GVC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 76 W
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.98 грн |
| 30+ | 220.63 грн |
| 120+ | 189.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTV60TK65GVC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns, Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 64 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 33 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 76 W.
Інші пропозиції RGTV60TK65GVC11 за ціною від 187.15 грн до 315.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTV60TK65GVC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|