RGTV60TK65GVC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 76 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 282.07 грн |
| 30+ | 215.36 грн |
| 120+ | 184.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTV60TK65GVC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns, Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 64 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 33 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 76 W.
Інші пропозиції RGTV60TK65GVC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTV60TK65GVC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGTV60TK65GVC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 76 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33 Bauform - Transistor: TO-3PFM Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTV60TK65GVC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGTV60TK65GVC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)