RGTV60TS65DGC11 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.82 грн
10+276.27 грн
100+200.89 грн
450+175.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTV60TS65DGC11 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N, Power - Max: 194 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Gate Charge: 64 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RGTV60TS65DGC11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTV60TS65DGC11 RGTV60TS65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 64 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC11 datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 64 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.