Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTV60TS65DGC13
RGTV60TS65DGC13

RGTV60TS65DGC13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.87 грн
10+306.99 грн
120+217.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTV60TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247GE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns, Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 64 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 194 W.

Інші пропозиції RGTV60TS65DGC13 за ціною від 205.96 грн до 483.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTV60TS65DGC13 RGTV60TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 570 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+483.99 грн
10+321.98 грн
100+205.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13 RGTV60TS65DGC13 ROHM 4155177.pdf Description: ROHM - RGTV60TS65DGC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 194W; Eoff: 0.5mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 194W
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 0.57mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+294.83 грн
30+234.07 грн
50+226.63 грн
100+220.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13 datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGTV60TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 570 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+483.99 грн
10+321.98 грн
100+205.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13 4155177.pdf
RGTV60TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TS65DGC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13 datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 194W; Eoff: 0.5mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 194W
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 0.57mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+294.83 грн
30+234.07 грн
50+226.63 грн
100+220.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.