RGTV60TS65GC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.81 грн |
| 30+ | 108.84 грн |
| 120+ | 88.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTV60TS65GC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns, Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 64 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 194 W.
Інші пропозиції RGTV60TS65GC11 за ціною від 172.96 грн до 476.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGTV60TS65GC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT |
на замовлення 602 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
|
RGTV60TS65GC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 194 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTV60TS65GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 602 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 476.56 грн |
| 10+ | 266.62 грн |
| 100+ | 186.21 грн |
| 450+ | 172.96 грн |
| RGTV60TS65GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - RGTV60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



