
RGTV60TS65GC11 ROHM Semiconductor
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTV60TS65GC11 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns, Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 64 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 194 W.
Інші пропозиції RGTV60TS65GC11 за ціною від 101.06 грн до 238.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RGTV60TS65GC11 | Виробник : ROHM |
![]() Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 194 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
RGTV60TS65GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 194 W |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|