Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTV60TS65GC11
RGTV60TS65GC11

RGTV60TS65GC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGTV60TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 64 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.45 грн
30+108.65 грн
120+88.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTV60TS65GC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N, Power - Max: 194 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Gate Charge: 64 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RGTV60TS65GC11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTV60TS65GC11 RGTV60TS65GC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTV60TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC11 RGTV60TS65GC11 ROHM 2644304.pdf Description: ROHM - RGTV60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC11 datasheet?p=RGTV60TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTV60TS65GC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC11 2644304.pdf
RGTV60TS65GC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.