Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTV80TK65DGVC11
RGTV80TK65DGVC11

RGTV80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGTV80TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.06 грн
30+166.58 грн
120+136.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTV80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 101 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns, Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 81 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 39 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 85 W.

Інші пропозиції RGTV80TK65DGVC11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTV80TK65DGVC11 RGTV80TK65DGVC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTV80TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11 RGTV80TK65DGVC11 ROHM rgtv80tk65d-e.pdf Description: ROHM - RGTV80TK65DGVC11 - IGBT, 39 A, 1.85 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11 datasheet?p=RGTV80TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTV80TK65DGVC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11 rgtv80tk65d-e.pdf
RGTV80TK65DGVC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV80TK65DGVC11 - IGBT, 39 A, 1.85 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.