RGTV80TK65GVC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 85 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Part Status: Active
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 200.70 грн |
| 30+ | 155.29 грн |
| 120+ | 127.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTV80TK65GVC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Packaging: Tube, Power - Max: 85 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 39 A, Part Status: Active, Gate Charge: 81 nC, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PFM, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A.
Інші пропозиції RGTV80TK65GVC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTV80TK65GVC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGTV80TK65GVC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV80TK65GVC11 - IGBT, 39 A, 1.5 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTV80TK65GVC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGTV80TK65GVC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV80TK65GVC11 - IGBT, 39 A, 1.5 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTV80TK65GVC11 - IGBT, 39 A, 1.5 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)