RGTV80TK65GVC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 403.11 грн |
| 30+ | 307.36 грн |
| 120+ | 263.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTV80TK65GVC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns, Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 81 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 39 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 85 W.
Інші пропозиції RGTV80TK65GVC11 за ціною від 182.01 грн до 437.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTV80TK65GVC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGTV80TK65GVC11 - IGBT, 39 A, 1.5 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGTV80TK65GVC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|