RGTV80TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 372.78 грн |
| 30+ | 213.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTV80TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N, Power - Max: 234 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Gate Charge: 81 nC, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Reverse Recovery Time (trr): 101 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції RGTV80TS65DGC11 за ціною від 196.75 грн до 471.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTV80TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGTV80TS65DGC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 234W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 78A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RGTV80TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT
IGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 467.13 грн |
| 10+ | 297.71 грн |
| 100+ | 205.03 грн |
| 450+ | 196.75 грн |
| RGTV80TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 471.16 грн |
| 10+ | 302.02 грн |