RGTV80TS65DGC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGTV80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+562.29 грн
30+313.64 грн
120+263.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTV80TS65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 101 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns, Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 81 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 234 W.

Інші пропозиції RGTV80TS65DGC11 за ціною від 270.59 грн до 624.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTV80TS65DGC11 RGTV80TS65DGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTV80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, 2 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 886 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+624.55 грн
10+433.13 грн
100+304.96 грн
450+270.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC11 RGTV80TS65DGC11 ROHM rgtv80ts65d-e.pdf Description: ROHM - RGTV80TS65DGC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC11 datasheet?p=RGTV80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, 2 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 886 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+624.55 грн
10+433.13 грн
100+304.96 грн
450+270.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC11 rgtv80ts65d-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.