RGTV80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 525.66 грн |
| 10+ | 342.87 грн |
| 120+ | 244.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTV80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 234W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 78A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції RGTV80TS65DGC13 за ціною від 236.74 грн до 537.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTV80TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
 IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 600 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGTV80TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 234W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 78A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RGTV80TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 78A Power dissipation: 234W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 81nC Turn-on time: 39ns Turn-off switching energy: 0.71mJ Turn-on switching energy: 1.02mJ Technology: Field Stop; Trench |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| RGTV80TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 537.86 грн |
| 10+ | 359.07 грн |
| 100+ | 236.74 грн |
| RGTV80TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGTV80TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 234W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off switching energy: 0.71mJ
Turn-on switching energy: 1.02mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 234W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off switching energy: 0.71mJ
Turn-on switching energy: 1.02mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 329.57 грн |
| 30+ | 266.33 грн |
| 50+ | 258.88 грн |
| 100+ | 253.09 грн |