Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTVX2TS65DGC13
RGTVX2TS65DGC13

RGTVX2TS65DGC13 Rohm Semiconductor

rgtvx2ts65d-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 319 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+645.60 грн
10+425.30 грн
120+308.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTVX2TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 111 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns, Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 123 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 111 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 319 W.

Інші пропозиції RGTVX2TS65DGC13 за ціною від 293.80 грн до 659.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTVX2TS65DGC13 RGTVX2TS65DGC13 ROHM Semiconductor rgtvx2ts65d-e.pdf IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 60A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 395 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+659.53 грн
10+445.74 грн
100+310.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13 RGTVX2TS65DGC13 ROHM 4155189.pdf Description: ROHM - RGTVX2TS65DGC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 319W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR rgtvx2ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 111A; 319W; Eoff: 1.15mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 111A
Power dissipation: 319W
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.15mJ
Turn-on switching energy: 2.08mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+412.39 грн
30+344.14 грн
50+335.89 грн
60+334.24 грн
100+297.10 грн
200+293.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13 rgtvx2ts65d-e.pdf
RGTVX2TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 60A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 395 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+659.53 грн
10+445.74 грн
100+310.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13 4155189.pdf
RGTVX2TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTVX2TS65DGC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 319W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13 rgtvx2ts65d-e.pdf
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 111A; 319W; Eoff: 1.15mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 111A
Power dissipation: 319W
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.15mJ
Turn-on switching energy: 2.08mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+412.39 грн
30+344.14 грн
50+335.89 грн
60+334.24 грн
100+297.10 грн
200+293.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.