RGTVX2TS65DGC13 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGTVX2TS65DGC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 111A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 630.07 грн |
| 5+ | 562.04 грн |
| 10+ | 493.17 грн |
| 50+ | 413.73 грн |
| 100+ | 337.45 грн |
| 250+ | 317.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTVX2TS65DGC13 ROHM
Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 111 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns, Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 123 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 111 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 319 W.
Інші пропозиції RGTVX2TS65DGC13 за ціною від 298.64 грн до 689.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTVX2TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 111 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247GE IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Current - Collector (Ic) (Max): 111 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 319 W |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGTVX2TS65DGC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 60A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|