Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTVX2TS65GC13
RGTVX2TS65GC13

RGTVX2TS65GC13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGTVX2TS65&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 319 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.53 грн
10+313.29 грн
120+223.62 грн
600+180.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTVX2TS65GC13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 319W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 111A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції RGTVX2TS65GC13 за ціною від 245.73 грн до 534.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTVX2TS65GC13 RGTVX2TS65GC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTVX2TS65&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+534.11 грн
10+393.60 грн
100+276.44 грн
600+245.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC13 RGTVX2TS65GC13 ROHM 4155188.pdf Description: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 319W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC13 datasheet?p=RGTVX2TS65&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGTVX2TS65GC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+534.11 грн
10+393.60 грн
100+276.44 грн
600+245.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC13 4155188.pdf
RGTVX2TS65GC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 319W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.