Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTVX6TS65DGC11
RGTVX6TS65DGC11

RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor

rgtvx6ts65d-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+545.10 грн
28+521.68 грн
50+501.80 грн
100+467.47 грн
250+419.71 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N, Power - Max: 404 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 144 A, Part Status: Not For New Designs, Gate Charge: 171 nC, Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Reverse Recovery Time (trr): 109 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RGTVX6TS65DGC11 за ціною від 426.16 грн до 641.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 171 nC
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.38 грн
10+426.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+641.75 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 ROHM datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTVX6TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 171 nC
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+618.38 грн
10+426.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 rgtvx6ts65d-e.pdf
RGTVX6TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+641.75 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTVX6TS65DGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 rgtvx6ts65d-e.pdf
RGTVX6TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.