Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTVX6TS65DGC11
RGTVX6TS65DGC11

RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor

rgtvx6ts65d-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+548.74 грн
28+525.16 грн
50+505.15 грн
100+470.59 грн
250+422.51 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 26 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 144A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 109 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns, Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 171 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 144 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A, Power - Max: 404 W.

Інші пропозиції RGTVX6TS65DGC11 за ціною від 297.93 грн до 779.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+646.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 144A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 404 W
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+779.80 грн
10+519.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 ROHM datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; TO247-3; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+417.72 грн
30+348.27 грн
50+340.02 грн
60+338.37 грн
100+301.23 грн
200+297.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 rgtvx6ts65d-e.pdf
RGTVX6TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+646.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTVX6TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 144A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 404 W
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+779.80 грн
10+519.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTVX6TS65DGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 rgtvx6ts65d-e.pdf
RGTVX6TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; TO247-3; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+417.72 грн
30+348.27 грн
50+340.02 грн
60+338.37 грн
100+301.23 грн
200+297.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.