RGTVX6TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 144A TO247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A
Power - Max: 404 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 739.70 грн |
| 10+ | 491.03 грн |
| 120+ | 358.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTVX6TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 144A TO247GE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 109 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns, Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 171 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 144 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A, Power - Max: 404 W.
Інші пропозиції RGTVX6TS65DGC13 за ціною від 370.05 грн до 861.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGTVX6TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 80A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 600 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RGTVX6TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 404W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 144A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RGTVX6TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; Eoff: 1.8mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 144A Power dissipation: 404W Pulsed collector current: 144A Mounting: THT Gate charge: 171nC Turn-on time: 45ns Turn-off switching energy: 1.8mJ Turn-on switching energy: 2.65mJ Technology: Field Stop; Trench |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| RGTVX6TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| RGTVX6TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| RGTVX6TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RGTVX6TS65DGC13 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 80A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 80A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 756.80 грн |
| 10+ | 513.87 грн |
| 100+ | 370.78 грн |
| 600+ | 370.05 грн |
| RGTVX6TS65DGC13 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 404W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 404W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGTVX6TS65DGC13 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Pulsed collector current: 144A
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Pulsed collector current: 144A
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 481.71 грн |
| 30+ | 407.69 грн |
| RGTVX6TS65DGC13 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 642.47 грн |
| 25+ | 614.86 грн |
| RGTVX6TS65DGC13 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 817.50 грн |
| 24+ | 596.81 грн |
| 50+ | 529.18 грн |
| 100+ | 479.39 грн |
| RGTVX6TS65DGC13 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 861.74 грн |
| 21+ | 692.51 грн |
| 25+ | 652.81 грн |
| 50+ | 591.97 грн |
| 100+ | 512.77 грн |



