Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTVX6TS65DGC13
RGTVX6TS65DGC13

RGTVX6TS65DGC13 ROHM Semiconductor

rgtvx6ts65d-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 80A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTVX6TS65DGC13 ROHM Semiconductor

Description: 2S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 109 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns, Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 171 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 144 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A, Power - Max: 404 W.

Інші пропозиції RGTVX6TS65DGC13 за ціною від 306.42 грн до 856.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTVX6TS65DGC13 RGTVX6TS65DGC13 ROHM 4155185.pdf Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Description: 2S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A
Power - Max: 404 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.08 грн
10+409.82 грн
25+364.24 грн
120+306.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+638.20 грн
25+610.78 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+812.07 грн
24+592.85 грн
50+525.67 грн
100+476.21 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+856.02 грн
21+687.91 грн
25+648.48 грн
50+588.04 грн
100+509.37 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 4155185.pdf
RGTVX6TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 rgtvx6ts65d-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 2S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A
Power - Max: 404 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+609.08 грн
10+409.82 грн
25+364.24 грн
120+306.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 rgtvx6ts65d-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+638.20 грн
25+610.78 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 rgtvx6ts65d-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+812.07 грн
24+592.85 грн
50+525.67 грн
100+476.21 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 rgtvx6ts65d-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+856.02 грн
21+687.91 грн
25+648.48 грн
50+588.04 грн
100+509.37 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.