RGW00TK65GVC11 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RGW00TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+531.87 грн
10+440.83 грн
100+309.30 грн
500+268.99 грн
1000+216.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW00TK65GVC11 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns, Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 141 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 89 W.

Інші пропозиції RGW00TK65GVC11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW00TK65GVC11 RGW00TK65GVC11 ROHM rgw00tk65-e.pdf Description: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11 rgw00tk65-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.