RGW00TS65CHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns
Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
Description: IGBT 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns
Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 860.1 грн |
10+ | 729.78 грн |
100+ | 631.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW00TS65CHRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT 650V 96A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 33 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns, Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 141 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 254 W.
Інші пропозиції RGW00TS65CHRC11 за ціною від 513.47 грн до 949.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RGW00TS65CHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor | IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RGW00TS65CHRC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGW00TS65CHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|