Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGW00TS65DGC13
RGW00TS65DGC13

RGW00TS65DGC13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGW00TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO-247GE
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+540.01 грн
10+352.19 грн
120+251.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW00TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGW00TS65DGC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 254W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 96A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції RGW00TS65DGC13 за ціною від 228.23 грн до 551.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW00TS65DGC13 RGW00TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW00TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 50A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 599 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+551.80 грн
10+368.65 грн
100+243.24 грн
1200+228.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13 RGW00TS65DGC13 ROHM 4155184.pdf Description: ROHM - RGW00TS65DGC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW00TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; Eoff: 0.96mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 96A
Power dissipation: 254W
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 180ns
Turn-off switching energy: 0.96mJ
Turn-on switching energy: 1.18mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+338.49 грн
30+273.64 грн
50+266.02 грн
100+259.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13 datasheet?p=RGW00TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGW00TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 50A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 599 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+551.80 грн
10+368.65 грн
100+243.24 грн
1200+228.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13 4155184.pdf
RGW00TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65DGC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13 datasheet?p=RGW00TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; Eoff: 0.96mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 96A
Power dissipation: 254W
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 180ns
Turn-off switching energy: 0.96mJ
Turn-on switching energy: 1.18mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+338.49 грн
30+273.64 грн
50+266.02 грн
100+259.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.