RGW00TS65DGC13

RGW00TS65DGC13 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 50A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.32 грн
10+422.28 грн
100+297.33 грн
600+263.95 грн
1200+233.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW00TS65DGC13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGW00TS65DGC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 96A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RGW00TS65DGC13 за ціною від 371.00 грн до 613.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGW00TS65DGC13 RGW00TS65DGC13 Виробник : ROHM 4155184.pdf Description: ROHM - RGW00TS65DGC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+613.10 грн
10+458.08 грн
100+371.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.