RGW00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGW00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.22 грн
10+297.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 141 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 254 W.

Інші пропозиції RGW00TS65DHRC11 за ціною від 272.68 грн до 536.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW00TS65DHRC11 RGW00TS65DHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.91 грн
10+327.88 грн
100+272.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 RGW00TS65DHRC11 ROHM rgw00ts65dhr-e.pdf Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.39 грн
10+368.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 datasheet?p=RGW00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+463.91 грн
10+327.88 грн
100+272.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 rgw00ts65dhr-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+536.39 грн
10+368.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.