RGW00TS65EHRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 597.02 грн |
| 5+ | 506.41 грн |
| 10+ | 414.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW00TS65EHRC11 ROHM
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 141 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 254 W.
Інші пропозиції RGW00TS65EHRC11 за ціною від 534.72 грн до 647.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW00TS65EHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 141 nC Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 254 W |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RGW00TS65EHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. |
товару немає в наявності |