RGW40TS65DGC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 162.19 грн |
| 10+ | 158.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW40TS65DGC11 ROHM
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns, Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 59 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 136 W.
Інші пропозиції RGW40TS65DGC11 за ціною від 104.05 грн до 413.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW40TS65DGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 59 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 136 W |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGW40TS65DGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|