RGW40TS65DGC13

RGW40TS65DGC13 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 20A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.86 грн
10+290.43 грн
100+204.16 грн
600+181.47 грн
1200+160.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW40TS65DGC13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGW40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RGW40TS65DGC13 за ціною від 212.91 грн до 443.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGW40TS65DGC13 RGW40TS65DGC13 Виробник : ROHM 4155191.pdf Description: ROHM - RGW40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.63 грн
10+296.03 грн
100+212.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.