RGW50TK65DGVC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.75 грн |
| 30+ | 140.23 грн |
| 120+ | 114.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW50TK65DGVC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns, Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 73 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 67 W.
Інші пропозиції RGW50TK65DGVC11 за ціною від 233.79 грн до 291.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW50TK65DGVC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RGW50TK65DGVC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|