Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGW50TS65DGC13
RGW50TS65DGC13

RGW50TS65DGC13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGW50TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+424.39 грн
10+273.27 грн
120+192.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW50TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGW50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 156W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції RGW50TS65DGC13 за ціною від 166.38 грн до 433.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW50TS65DGC13 RGW50TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW50TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 25A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+433.54 грн
10+286.58 грн
100+178.11 грн
1200+169.31 грн
3000+166.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13 RGW50TS65DGC13 ROHM 4155193.pdf Description: ROHM - RGW50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW50TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 156W; Eoff: 0.43mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 156W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off switching energy: 0.43mJ
Turn-on switching energy: 0.39mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+262.77 грн
30+204.30 грн
50+196.85 грн
100+191.06 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13 datasheet?p=RGW50TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGW50TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 25A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+433.54 грн
10+286.58 грн
100+178.11 грн
1200+169.31 грн
3000+166.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13 4155193.pdf
RGW50TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13 datasheet?p=RGW50TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 156W; Eoff: 0.43mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 156W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off switching energy: 0.43mJ
Turn-on switching energy: 0.39mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+262.77 грн
30+204.30 грн
50+196.85 грн
100+191.06 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.