RGW50TS65GC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 213.23 грн |
| 10+ | 129.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW50TS65GC11 ROHM
Description: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RGW50TS65GC11 за ціною від 149.72 грн до 419.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW50TS65GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 156 W |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGW50TS65GC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|