Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGW50TS65GC13
RGW50TS65GC13

RGW50TS65GC13 Rohm Semiconductor

rgw50ts65-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.10 грн
10+232.92 грн
120+162.33 грн
600+126.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW50TS65GC13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGW50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 156W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції RGW50TS65GC13 за ціною від 136.33 грн до 374.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW50TS65GC13 RGW50TS65GC13 ROHM Semiconductor rgw50ts65-e.pdf IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+374.53 грн
10+246.12 грн
100+172.97 грн
600+153.92 грн
1200+136.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13 RGW50TS65GC13 ROHM 4155192.pdf Description: ROHM - RGW50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13 rgw50ts65-e.pdf
RGW50TS65GC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+374.53 грн
10+246.12 грн
100+172.97 грн
600+153.92 грн
1200+136.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13 4155192.pdf
RGW50TS65GC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.