RGW60TS65CHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns
Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 734.70 грн |
| 30+ | 516.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW60TS65CHRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT 650V 64A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns, Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 64 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 178 W.
Інші пропозиції RGW60TS65CHRC11 за ціною від 444.58 грн до 975.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW60TS65CHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 64A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RGW60TS65CHRC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| RGW60TS65CHRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 834.39 грн |
| 5+ | 817.48 грн |
| 10+ | 801.37 грн |
| RGW60TS65CHRC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 975.34 грн |
| 10+ | 585.89 грн |
| 100+ | 444.58 грн |