Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGW60TS65DGC11
RGW60TS65DGC11

RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor

rgw60ts65d-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+335.73 грн
45+321.30 грн
50+309.07 грн
100+287.92 грн
250+258.50 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 43 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns, Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 178 W.

Інші пропозиції RGW60TS65DGC11 за ціною від 169.18 грн до 541.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgw60ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+335.73 грн
45+321.30 грн
50+309.07 грн
100+287.92 грн
250+258.50 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.13 грн
30+261.75 грн
120+218.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 408 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+515.34 грн
10+290.99 грн
100+211.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgw60ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+541.04 грн
50+306.59 грн
100+300.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 ROHM 2621219.pdf Description: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgw60ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 178W; TO247-3; Eoff: 0.49mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off switching energy: 0.49mJ
Turn-on switching energy: 0.48mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+263.96 грн
30+205.49 грн
50+197.24 грн
100+191.47 грн
300+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 rgw60ts65d-e.pdf
RGW60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+335.73 грн
45+321.30 грн
50+309.07 грн
100+287.92 грн
250+258.50 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+475.13 грн
30+261.75 грн
120+218.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW60TS65DGC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 408 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+515.34 грн
10+290.99 грн
100+211.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 rgw60ts65d-e.pdf
RGW60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+541.04 грн
50+306.59 грн
100+300.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 2621219.pdf
RGW60TS65DGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 rgw60ts65d-e.pdf
RGW60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 178W; TO247-3; Eoff: 0.49mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off switching energy: 0.49mJ
Turn-on switching energy: 0.48mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+263.96 грн
30+205.49 грн
50+197.24 грн
100+191.47 грн
300+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.