Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGW60TS65DGC11
RGW60TS65DGC11

RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor

rgw60ts65d-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+334.25 грн
45+319.88 грн
50+307.70 грн
100+286.64 грн
250+257.36 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns, Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 178 W.

Інші пропозиції RGW60TS65DGC11 за ціною від 169.59 грн до 538.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgw60ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+334.25 грн
45+319.88 грн
50+307.70 грн
100+286.64 грн
250+257.36 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.11 грн
30+204.19 грн
120+169.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.26 грн
10+221.50 грн
100+179.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgw60ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+538.65 грн
50+305.24 грн
100+299.56 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgw60ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 rgw60ts65d-e.pdf
RGW60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+334.25 грн
45+319.88 грн
50+307.70 грн
100+286.64 грн
250+257.36 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.11 грн
30+204.19 грн
120+169.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW60TS65DGC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.26 грн
10+221.50 грн
100+179.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 rgw60ts65d-e.pdf
RGW60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+538.65 грн
50+305.24 грн
100+299.56 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 rgw60ts65d-e.pdf
RGW60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.