Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGW60TS65DHRC11
RGW60TS65DHRC11

RGW60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor

rgw60ts65dhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 64A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+494.91 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-247N, Dauerkollektorstrom: 64A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RGW60TS65DHRC11 за ціною від 227.81 грн до 739.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW60TS65DHRC11 RGW60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGW60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 64A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+515.68 грн
10+337.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11 RGW60TS65DHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.64 грн
10+365.19 грн
100+227.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11 RGW60TS65DHRC11 ROHM datasheet?p=RGW60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+675.73 грн
5+459.08 грн
10+318.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11 RGW60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor rgw60ts65dhr-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 64A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+739.94 грн
50+503.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11 datasheet?p=RGW60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW60TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 64A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+515.68 грн
10+337.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11 datasheet?p=RGW60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW60TS65DHRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+543.64 грн
10+365.19 грн
100+227.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11 datasheet?p=RGW60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW60TS65DHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+675.73 грн
5+459.08 грн
10+318.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11 rgw60ts65dhr-e.pdf
RGW60TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 64A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+739.94 грн
50+503.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.