Продукція > ROHM > RGW80NL65DHRBTL
RGW80NL65DHRBTL

RGW80NL65DHRBTL ROHM


rgw80nl65dhrbtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+303.90 грн
100+232.79 грн
500+202.80 грн
1000+177.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW80NL65DHRBTL ROHM

Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263L, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RGW80NL65DHRBTL за ціною від 177.04 грн до 500.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGW80NL65DHRBTL RGW80NL65DHRBTL Виробник : ROHM rgw80nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+455.42 грн
10+303.90 грн
100+232.79 грн
500+202.80 грн
1000+177.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTL RGW80NL65DHRBTL Виробник : ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.05 грн
10+341.04 грн
25+256.57 грн
100+211.29 грн
250+189.41 грн
500+180.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.