RGW80NL65DHRBTL ROHM Semiconductor



Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+412.36 грн
10+282.63 грн
100+177.42 грн
500+176.04 грн
1000+149.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW80NL65DHRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263L, Dauerkollektorstrom: 83A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RGW80NL65DHRBTL за ціною від 190.71 грн до 412.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW80NL65DHRBTL RGW80NL65DHRBTL ROHM Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.36 грн
10+286.72 грн
100+206.99 грн
500+190.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+412.36 грн
10+286.72 грн
100+206.99 грн
500+190.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.