RGW80TS65CHRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 763.19 грн |
| 5+ | 615.00 грн |
| 10+ | 465.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW80TS65CHRC11 ROHM
Description: IGBT 650V 81A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 33 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns, Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 81 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 214 W.
Інші пропозиції RGW80TS65CHRC11 за ціною від 546.76 грн до 1007.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW80TS65CHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT 650V 81A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 33 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 81 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 214 W |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGW80TS65CHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|