RGW80TS65DGC11 ROHM Semiconductor
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 496.09 грн |
| 10+ | 411.17 грн |
| 25+ | 280.29 грн |
| 100+ | 234.68 грн |
| 450+ | 207.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW80TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns, Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 214 W.
Інші пропозиції RGW80TS65DGC11 за ціною від 235.67 грн до 508.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW80TS65DGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 214 W |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| RGW80TS65DGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |