RGW80TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 500.30 грн |
| 10+ | 377.44 грн |
| 100+ | 265.92 грн |
| 600+ | 236.38 грн |
| 1200+ | 208.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW80TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 78A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RGW80TS65DGC13 за ціною від 331.46 грн до 534.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW80TS65DGC13 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 78A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|