Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGW80TS65DGC13
RGW80TS65DGC13

RGW80TS65DGC13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGW80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247GE
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+475.41 грн
10+308.11 грн
120+218.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW80TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 214W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 78A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції RGW80TS65DGC13 за ціною від 194.23 грн до 485.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW80TS65DGC13 RGW80TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 562 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+485.70 грн
10+322.83 грн
100+206.69 грн
1200+194.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13 RGW80TS65DGC13 ROHM 4155182.pdf Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 214W; Eoff: 0.72mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 214W
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off switching energy: 0.72mJ
Turn-on switching energy: 0.76mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+295.72 грн
30+234.90 грн
50+227.45 грн
100+220.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13 datasheet?p=RGW80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGW80TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 562 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.70 грн
10+322.83 грн
100+206.69 грн
1200+194.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13 4155182.pdf
RGW80TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13 datasheet?p=RGW80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 214W; Eoff: 0.72mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 214W
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off switching energy: 0.72mJ
Turn-on switching energy: 0.76mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+295.72 грн
30+234.90 грн
50+227.45 грн
100+220.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.