Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGW80TS65DHRC11
RGW80TS65DHRC11

RGW80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGW80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+411.48 грн
10+270.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 214 W.

Інші пропозиції RGW80TS65DHRC11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW80TS65DHRC11 RGW80TS65DHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 RGW80TS65DHRC11 ROHM 3204099.pdf Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 datasheet?p=RGW80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW80TS65DHRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 3204099.pdf
RGW80TS65DHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.