RGW80TS65EHRC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGW80TS65EHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+607.80 грн
10+399.91 грн
450+319.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW80TS65EHRC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 214W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції RGW80TS65EHRC11 за ціною від 301.76 грн до 681.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGW80TS65EHRC11 RGW80TS65EHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW80TS65EHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+681.78 грн
10+442.67 грн
100+309.86 грн
450+301.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11 RGW80TS65EHRC11 ROHM rgw80ts65ehr-e.pdf Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11 datasheet?p=RGW80TS65EHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+681.78 грн
10+442.67 грн
100+309.86 грн
450+301.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11 rgw80ts65ehr-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.